MBRS1035CTHMNG (DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO263AB)
Доставка MBRS1035CTHMNG по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MBRS1035CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation в нашем каталоге. В наличии MBRS1035CTHMNG с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO263AB).
MBRS1035CTHMNG характеристики
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Серия | Automotive |
| AEC-Q101 | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tape & Reel (TR) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| TO-263-3 | D?Pak (2 Leads + Tab) |
| TO-263AB | Исполнение корпуса |
| TO-263AB (D?PAK) | Тип диода |
| Schottky | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 800mV @ 10A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 100µA @ 35V | Конфигурация диода |
| 1 Pair Common Cathode | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 35V | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) |
| 10A | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
Рекомендации по подбору
Диодный массив MBRS1035CTHMNG от Taiwan Semiconductor — сдвоенный диод Шоттки с общим катодом, рассчитанный на обратное напряжение 35 В и средний ток до 10 А на диод. Корпус TO-263AB (D²PAK) предназначен для поверхностного монтажа. Соответствие стандарту AEC-Q101 подтверждает пригодность для автомобильной электроники.
При подборе аналога следует оценивать не только номинальные параметры, но и тепловые характеристики. Замена на компонент с отличающимся прямым падением напряжения или большей утечкой может привести к перегреву. Обязательно проверяйте совместимость посадочного места и размеров корпуса, особенно для TO-263AB.
- Критерии выбора: обратное напряжение ≥35 В, средний ток ≥10 А на диод, конфигурация «общий катод», прямое напряжение ≤800 мВ при 10 А, рабочая температура pn-перехода.
- Проверка совместимости: сравните чертежи корпуса (TO-263AB) и расположение выводов; убедитесь, что аналог имеет аналогичный термосопротивление и допуски по монтажу.
- Риски при замене: установка обычного кремниевого диода вместо Шоттки увеличит потери и нагрев; несоблюдение полярности в массиве с общим катодом нарушит работу схемы.
Похожие товары
MBL108S-M3/I (RECT BRIDGE 1A 800V MBLS)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
ES3C-13-F (DIODE GEN PURP 150V 3A SMC)
Категория:
Дискретные полупроводники
242.40
₽
Заказать
SS12T3G (DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
SR1203HB0G (DIODE SCHOTTKY 30V 12A DO201AD)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать