MBRH24080R (DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67)
Доставка MBRH24080R по России Диоды — выпрямители — одиночные MBRH24080R GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MBRH24080R с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67).
MBRH24080R характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | D-67 |
| Исполнение корпуса | D-67 |
| Тип диода | Schottky |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 240A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 840mV @ 240A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 1mA @ 80V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 80V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 150°C |
| Емкость @ Vr | F |
Рекомендации по подбору
Диод Шоттки MBRH24080R (GeneSiC Semiconductor) рассчитан на обратное напряжение до 80 В и средний выпрямленный ток 240 А в корпусе D-67 (Chassis Mount). Низкое прямое падение напряжения (840 мВ при 240 А) и быстрый восстановление позволяют применять его в мощных импульсных блоках питания и низковольтных преобразователях.
При подборе аналога необходимо учитывать тепловые характеристики и конструктивные особенности корпуса. Даже при одинаковых номиналах различия в Vf и обратном токе могут существенно повлиять на нагрев и надёжность системы.
- Выбирайте аналог с равным или большим обратным напряжением (Vrrm) и средним током (Io). Сравните прямое падение напряжения при рабочем токе: более высокий Vf увеличит выделение тепла.
- Проверьте обратный ток утечки при максимальной температуре перехода (150 °C). Разница в 2–3 раза способна привести к тепловому уходу, особенно при параллельном включении диодов.
- Убедитесь в совместимости посадочного места и типа крепления. Корпус D-67 имеет винтовое крепление, но диаметр отверстия и высота могут различаться у разных производителей.
- Риск: замена на диод с худшей перегрузочной способностью или иной динамикой восстановления снижает стойкость к импульсным токам и увеличивает вероятность пробоя.
Похожие товары
DF02S1 (BRIDGE RECT 1A 200V 4SDIP)
Категория:
Дискретные полупроводники
200.40
₽
Заказать
BAV756S,115 (DIODE ARRAY GP 90V 250MA 6TSSOP)
Категория:
Дискретные полупроводники
43.20
₽
Заказать
AU02ZWK (DIODE GEN PURP 200V 800MA AXIAL)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
RURP1560-F085 (DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать