MBRH12020R (DIODE SCHOTTKY 20V 120A D-67)
MBRH12020R характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | D-67 |
| Исполнение корпуса | D-67 |
| Тип диода | Schottky |
| Reverse Polarity | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 120A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 650mV @ 120A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 4mA @ 20V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 20V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Емкость @ Vr |
| F | - |
Рекомендации по подбору
Диод Шоттки MBRH12020R от GeneSiC Semiconductor рассчитан на максимальное обратное напряжение 20 В и средний выпрямленный ток 120 А. Корпус D-67 с монтажом на шасси обеспечивает эффективный отвод тепла. Благодаря низкому прямому напряжению (650 мВ при 120 А) и быстрому восстановлению диод подходит для импульсных источников питания и силовых выпрямителей в низковольтных цепях.
При подборе аналога критичны три параметра: максимальное обратное напряжение (не менее 20 В), прямой ток (не менее 120 А) и тип корпуса (D-67 или совместимый для монтажа на шасси). Также важны динамические характеристики — скорость восстановления и заряд восстановления, так как замена на более медленный диод может снизить эффективность схемы. Необходимо проверить тепловое сопротивление и максимальную температуру перехода, чтобы обеспечить надежность при тех же условиях охлаждения.
- Превышение обратного напряжения: установка аналога с меньшим Vrrm приведёт к пробою.
- Недостаточный прямой ток: аналог с меньшим If может перегреться и выйти из строя.
- Различие в корпусе и монтаже: несовместимость с крепежом или радиатором усложнит установку.
- Отличие в прямом падении напряжения: более высокое Vf увеличит потери мощности и температуру перехода.
Похожие товары
IDD05SG60CXTMA1 (DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3)
BYT56A-TAP (DIODE AVALANCHE 50V 3A SOD64)
1N4002-N-0-1-BP (DIODE GEN PURP 100V 1A DO41)