MBRB1545CTT4G (DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK)
Доставка MBRB1545CTT4G по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MBRB1545CTT4G ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MBRB1545CTT4G с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 400.80 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK).
MBRB1545CTT4G характеристики
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Серия | SWITCHMODE™ |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | TO-263-3 |
| D?Pak (2 Leads + Tab) | TO-263AB |
| Исполнение корпуса | D2PAK-3 |
| Base Part Number | MBRB1545CT |
| Тип диода | Schottky |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 570mV @ 7.5A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 100µA @ 45V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 45V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 7.5A |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -65°C ~ 175°C |
Рекомендации по подбору
При подборе аналога диодной сборки MBRB1545CTT4G (сдвоенный диод Шоттки 45 В, 7,5 А на канал, общий катод, корпус D²PAK-3/TO-263) критически важны точное совпадение конфигурации, корпуса и электрических параметров. Использование компонента с другим прямым падением напряжения (Vf) или током утечки может привести к перегреву и снижению надёжности.
Проверка совместимости должна включать верификацию посадочного места, диапазона рабочих температур (–65…+175 °C) и скорости восстановления (fast recovery). Особое внимание уделите тепловому режиму: при замене на диод с более высоким Vf возрастёт рассеиваемая мощность.
- Критерии выбора аналога: одинаковые корпус (D²PAK-3), конфигурация «общий катод», Vf ≤ 570 мВ при 7,5 А, обратное напряжение ≥ 45 В, прямой ток каждой секции ≥ 7,5 А.
- Проверка совместимости: сверить размеры выводов, термальное сопротивление, а также максимально допустимые импульсные токи; для импульсных источников питания важна ёмкость перехода.
- Риски при замене: использование однодиодного компонента вместо сдвоенного нарушит топологию платы; несоответствие Vf вызовет дисбаланс токов; превышение температуры pn-перехода ускорит деградацию.
Похожие товары
GS1ME-TP (DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
12.60
₽
Заказать
1N4148W-HE3-18 (DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123)
Категория:
Дискретные полупроводники
55.20
₽
Заказать
CDBZ320200-HF (DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO277)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
6A1-TP (DIODE GEN PURP 100V 6A R6)
Категория:
Дискретные полупроводники
192
₽
Заказать