MBR500200CT (DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER)

Доставка MBR500200CT по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MBR500200CT GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MBR500200CT с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER).
MBR500200CT характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Twin Tower |
| Исполнение корпуса | Twin Tower |
| Тип диода | Schottky |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 920mV @ 250A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 3mA @ 200V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 200V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 250A |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 150°C |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для MBR500200CT? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
HER503GP-TP (5A,200V,HIGH EFFICIENT RECTIFIER)
Категория:
Дискретные полупроводники
160.80₽
ЗаказатьG2SBA80-E3/51 (DIODE GPP 1.5A 800V GBL)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьBYT51M-TAP (DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьGBJ1010-F (RECT BRIDGE GPP 1000V 10A GBJ)
Категория:
Дискретные полупроводники
480₽
Заказать

