MBR20045CT (DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER)
Доставка MBR20045CT по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MBR20045CT GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MBR20045CT с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 24830.40 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER).
MBR20045CT характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Twin Tower |
| Исполнение корпуса | Twin Tower |
| Тип диода | Schottky |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 650mV @ 100A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 5mA @ 20V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 45V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 200A (DC) |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Рекомендации по подбору
При подборе аналога для MBR20045CT в первую очередь сравнивайте максимальное обратное напряжение (45 В) и средний выпрямленный ток (200 А). Обратите внимание на прямое падение напряжения — у оригинала 650 мВ при 100 А, что критично для теплового расчёта. Конфигурация диодов «общий катод» и корпус Twin Tower (монтаж на шасси) должны совпадать.
Перед заменой проверьте допуски по току утечки (5 мА при 20 В) и скорость восстановления. Разница в Vf даже на 0,1 В может изменить температуру перехода и надёжность.
- Риск выхода из строя при импульсных перегрузках — убедитесь, что аналог держит пиковые токи, указанные в даташите.
- Габариты и крепёж: Twin Tower требует точного совпадения посадочных мест и изоляции корпуса.
- Отсутствие данных по тепловому сопротивлению — повод запросить спецификацию у поставщика перед заменой.
Похожие товары
GBU401 (RECT BRIDGE GPP 100V 4A GBU)
Категория:
Дискретные полупроводники
68.40₽
ЗаказатьBY458TAP (DIODE AVALANCHE 1.2KV 2A SOD57)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьFTB6F-15FTR (BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A ABF)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьCDBJFSC3650-G (DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO)
Категория:
Дискретные полупроводники
514.80₽
Заказать