MBR200100CT (DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER)
Доставка MBR200100CT по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MBR200100CT GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MBR200100CT с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER).
MBR200100CT характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Twin Tower |
| Исполнение корпуса | Twin Tower |
| Тип диода | Schottky |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 840mV @ 100A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 5mA @ 20V |
| Конфигурация диода | 1 Pair Common Cathode |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 100V |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) | 200A (DC) |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для MBR200100CT? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
D1251S45TXPSA1 (DIODE GEN PURP 4.5KV 1530A)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
CMS01(TE12L) (DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
ES1GHR3G (DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
RS1KLHM2G (DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать