+7(916) 225-43-02

MBR12035CTR (DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER)

MBR12035CTR (DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
Доставка MBR12035CTR по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии MBR12035CTR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER).

MBR12035CTR характеристики

ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаBulk
Вид монтажаChassis Mount
КорпусTwin Tower
Исполнение корпусаTwin Tower
Тип диодаSchottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If650mV @ 120A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)3mA @ 20V
Конфигурация диода1 Pair Common Anode
Максимальное обратное напряжение (Vr)35V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)120A (DC)
СкоростьFast Recovery = 200mA (Io)

Рекомендации по подбору

Диодный модуль MBR12035CTR на основе барьера Шоттки обеспечивает низкое прямое напряжение (650 мВ при 120 А) и высокую коммутационную скорость. Применяется в выпрямителях с большими импульсными токами, где важна минимизация потерь проводимости. Корпус Twin Tower с креплением на шасси допускает эффективный теплоотвод.

При подборе аналога или замены MBR12035CTR необходимо оценить несколько ключевых параметров. Ошибка в выборе может привести к перегреву или пробою модуля.

  • Максимальное обратное напряжение (VRRM): должно быть не менее 35 В, желательно с запасом 20–30% для компенсации выбросов в схеме.
  • Средний прямой ток (IF(AV)): для данного модуля — 120 A на диод (с учётом конфигурации «общий анод»). Проверьте суммарный ток нагрузки и условия охлаждения.
  • Тип корпуса и конфигурация: только Twin Tower с креплением на шасси. Аналог должен иметь идентичные монтажные отверстия и схему подключения (два диода с общим анодом).
  • Тепловые характеристики: прямое напряжение и тепловое сопротивление влияют на температуру перехода. При замене на аналог с более высоким VF потребуется улучшенное охлаждение.

Похожие товары