+7(916) 225-43-02

LT1160CS#PBF (IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC)

LT1160CS#PBF (IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC)
Интегральные микросхемы Силовые чипы — драйверы затворов
Доставка LT1160CS#PBF по России Силовые чипы — драйверы затворов LT1160CS#PBF Linear Technology/Analog Devices в нашем каталоге. В наличии LT1160CS#PBF с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 2840.40 руб. Срок поставки уточняйте. (IC PWR MOSFET DRIVER N-CH 14SOIC).

LT1160CS#PBF характеристики

ПроизводительLinear Technology/Analog Devices
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTube
Вид монтажаSurface Mount
Корпус14-SOIC (0.154
3.90mm Width)Тип входа
Non-InvertingРабочая температура
0°C ~ 125°C (TJ)Исполнение корпуса
14-SOICBase Part Number
LT1160Напряжение питания
10 V ~ 15 VТип канала
IndependentКонфигурация
Half-BridgeЧисло драйверов
2Тип затвора
N-Channel MOSFETЛогическое напряжение (VIL
VIH)0.8V
2VВыходной ток
1.5A1.5A
Максимальное напряжение60V
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)130ns

Рекомендации по подбору

LT1160CS#PBF — драйвер затворов N-Channel MOSFET, предназначенный для управления верхним и нижним плечом в полумостовых конфигурациях. Микросхема рассчитана на напряжение питания 10–15 В, обеспечивает выходной ток до 1.5 А и поддерживает логические уровни 0.8/2.0 В. Корпус 14-SOIC, рабочая температура до +125 °C.

При подборе функционального аналога ключевыми параметрами являются напряжение питания, пиковый ток драйвера, задержки распространения и тип входа (неинвертирующий). Даже при совпадении выводов могут отличаться пороговые уровни и скорость нарастания, что критично для схем с жёсткими временными требованиями.

  • Критерии выбора: напряжение питания (допуск ±10%), выходной ток (не ниже 1.5 А), корпус (14-SOIC с шагом 1.27 мм), логические уровни (VIH ≤ 2 В, VIL ≥ 0.8 В) и конфигурация (полумост, два независимых канала).
  • Проверка совместимости: сверить распиновку по datasheet, убедиться в совпадении полярности входов и наличии bootstrap-диода (если используется). Для высокочастотных схем сравнить типовые времена нарастания/спада и dead-time.
  • Риски при замене: несоответствие по току приводит к перегреву или неполному открытию транзистора; несовместимость по напряжению питания — к ложным срабатываниям; отличие во входной ёмкости — к увеличению сквозных токов в момент коммутации.

Похожие товары