LSM845JE3 (DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB)
Доставка LSM845JE3 по России Диоды — выпрямители — одиночные LSM845JE3 Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии LSM845JE3 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB).
LSM845JE3 характеристики
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-214AB |
| SMC | Исполнение корпуса |
| DO-214AB | Base Part Number |
| LSM845 | Тип диода |
| Schottky | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 8A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 520mV @ 8A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 2mA @ 45V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 45V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
| -55°C ~ 150°C | Емкость @ Vr |
| F | - |
Рекомендации по подбору
Диод Шоттки LSM845JE3 (Microsemi) рассчитан на обратное напряжение 45 В и прямой ток 8 А, выполнен в корпусе DO-214AB (SMC). Устройство снято с производства, поэтому при необходимости замены следует подбирать совместимый аналог с учётом ключевых электрических и тепловых параметров.
При выборе альтернативы важно сохранить или улучшить характеристики, не выходя за пределы допустимых режимов работы схемы. Ниже приведены основные критерии для корректной замены.
- Электрические параметры: обратное напряжение (VR ≥ 45 В), средний прямой ток (IF ≥ 8 А), максимальное прямое падение (VF ≤ 520 мВ при 8 А), ток утечки (IR ≤ 2 мА при 45 В). Превышение этих значений недопустимо.
- Тип корпуса и монтаж: DO-214AB (SMC) — поверхностный монтаж. Замена должна соответствовать тому же типоразмеру и посадочному месту, иначе потребуется переработка печатной платы.
- Тепловой режим и частотные свойства: диод Шоттки характеризуется низким падением напряжения и быстрым восстановлением. Убедитесь, что аналог имеет аналогичную или меньшую ёмкость pn-перехода и выдерживает рабочий диапазон температур (-55…+150 °C).
- Риски при неверной замене: превышение VR или IF приведёт к пробою или перегреву; использование диода с другим типом восстановления (например, ultrafast вместо Schottky) увеличит потери переключения и может нарушить работу схемы.
Похожие товары
1PS70SB10,115 (DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323)
Категория:
Дискретные полупроводники
42
₽
Заказать
NTS12120EMFST3G (DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
PDU620CT-13 (DIODE ARRAY GP 200V 3A POWERDI5)
Категория:
Дискретные полупроводники
358.80
₽
Заказать
15ETH03 (DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать