JANTXV1N6629US (DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B)
Доставка JANTXV1N6629US по России Диоды — выпрямители — одиночные JANTXV1N6629US Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии JANTXV1N6629US с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B).
JANTXV1N6629US характеристики
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SQ-MELF |
| E | Исполнение корпуса |
| D-5B | Тип диода |
| Standard | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 1.4A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.4V @ 1.4A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 2µA @ 800V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 800V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 60ns | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 150°C | Емкость @ Vr |
| F | 40pF @ 10V |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для JANTXV1N6629US? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
MBRF20045R (DIODE SCHOTTKY 45V 100A TO244AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьS3GHM6G (DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьMURT30010 (DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER)
Категория:
Дискретные полупроводники
ЗаказатьFR306-TP (DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
