JANTXV1N5809US (DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF)
Доставка JANTXV1N5809US по России Диоды — выпрямители — одиночные JANTXV1N5809US Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии JANTXV1N5809US с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 3031.20 руб. Срок поставки уточняйте. (DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF).
JANTXV1N5809US характеристики
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Серия | Military |
| MIL-PRF-19500/477 | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Bulk | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| SQ-MELF | B |
| Исполнение корпуса | B |
| SQ-MELF | Тип диода |
| Standard | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 3A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 875mV @ 4A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 5µA @ 100V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 100V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 30ns | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 175°C | Емкость @ Vr |
| F | 60pF @ 10V |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для JANTXV1N5809US? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
S1J-13 (DIODE GEN PURP 600V 1A SMA)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
CDBA1200-HF (DIODE SCHOTTKY 200V 1A DO214AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
105.60
₽
Заказать
R5020413LSWA (DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
VS-6CWQ04FNTRHM3 (DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V DPAK)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать