JANTXV1N5809URS (DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG)
Доставка JANTXV1N5809URS по России Диоды — выпрямители — одиночные JANTXV1N5809URS Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии JANTXV1N5809URS с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG).
JANTXV1N5809URS характеристики
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Серия | Military |
| MIL-PRF-19500/477 | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Bulk | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| SQ-MELF | B |
| Исполнение корпуса | B |
| SQ-MELF | Тип диода |
| Standard | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 3A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 875mV @ 4A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 5µA @ 100V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 100V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 30ns | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 175°C | Емкость @ Vr |
| F | 60pF @ 10V |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для JANTXV1N5809URS? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
SJPB-L4VL (DIODE SCHOTTKY 40V 3A SJP)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
GPA803HC0G (DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
1N4384GP-E3/54 (DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
163.20
₽
Заказать
SFF1004GAHC0G (DIODE GEN PURP 200V 10A ITO220AB)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать