+7(916) 225-43-02

JAN1N5809US (DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF)

JAN1N5809US (DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
Доставка JAN1N5809US по России Диоды — выпрямители — одиночные JAN1N5809US Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии JAN1N5809US с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF).

JAN1N5809US характеристики

ПроизводительMicrosemi Corporation
СерияMilitary
MIL-PRF-19500/477Part Status
ActiveУпаковка
BulkВид монтажа
Surface MountКорпус
SQ-MELFB
Исполнение корпусаB
SQ-MELFТип диода
StandardCреднее значение выпрямленного тока (Io)
6AПрямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
875mV @ 4AТок утечки при Обратном напряжении (Vr)
5µA @ 100VМаксимальное обратное напряжение (Vr)
100VСкорость
Fast Recovery = 200mA (Io)Время восстановления запорного слоя (trr)
30nsРабочая температура pn-прехода
-65°C ~ 175°CЕмкость @ Vr
F60pF @ 10V

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для JAN1N5809US? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары