JAN1N5550US (DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF)
Доставка JAN1N5550US по России Диоды — выпрямители — одиночные JAN1N5550US Microsemi Corporation в нашем каталоге. В наличии JAN1N5550US с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF).
JAN1N5550US характеристики
| Производитель | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Серия | Military |
| MIL-PRF-19500/420 | Part Status |
| Discontinued at Digi-Key | Упаковка |
| Bulk | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| SQ-MELF | B |
| Исполнение корпуса | D-5B |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 3A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.2V @ 9A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 1µA @ 200V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 200V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns |
| > 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 2µs | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 175°C | Емкость @ Vr |
| F | - |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для JAN1N5550US? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
TS25P06GHC2G (BRIDGE RECT 1P 800V 25A TS-6P)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
BYG22D-E3/TR (DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC)
Категория:
Дискретные полупроводники
103.20
₽
Заказать
30CTH02STRR (DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
RB058L-60TE25 (DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDS)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать