+7(916) 225-43-02

IX2120BTR (1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI)

IX2120BTR (1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI)
Интегральные микросхемы Силовые чипы — драйверы затворов
Доставка IX2120BTR по России Силовые чипы — драйверы затворов IX2120BTR IXYS Integrated Circuits Division в нашем каталоге. В наличии IX2120BTR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI).

IX2120BTR характеристики

ПроизводительIXYS Integrated Circuits Division
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаCut Tape (CT)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус28-SOIC (0.295
7.50mm Width)Тип входа
Non-InvertingРабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)Исполнение корпуса
28-SOICНапряжение питания
15 V ~ 20 VТип канала
IndependentКонфигурация
Half-BridgeЧисло драйверов
2Тип затвора
IGBTN-Channel MOSFET
Логическое напряжение (VILVIH)
6V9.5V
Выходной ток2A
2AМаксимальное напряжение
1200VВремя нарастания / Время затухания (Номинальное)
9.4ns9.7ns"

Рекомендации по подбору

Драйвер верхнего и нижнего плеча IX2120BTR (IXYS) рассчитан на напряжение до 1200 В и выходной ток 2 А. Предназначен для управления IGBT и N-канальными MOSFET в полумостовой конфигурации. Корпус 28-SOIC с питанием 15–20 В, время переключения менее 10 нс.

При подборе аналога критически важны следующие параметры:

  • Максимальное напряжение (1200 В) и допустимый ток (2 А) — превышение может разрушить драйвер или силовые ключи.
  • Совпадение логических уровней (VIH 9.5 В, VIL 6 В) и типа входа (Non-Inverting).
  • Временные характеристики (9.4/9.7 нс) — существенное отклонение изменит динамические потери и может вызвать сквозные токи.
  • Тип корпуса (28-SOIC) и цоколевка — ошибка при монтаже или несовместимость с печатной платой приводят к короткому замыканию.

Похожие товары