+7(916) 225-43-02

ISL89164FBEAZ (MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC)

ISL89164FBEAZ (MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC)
Интегральные микросхемы Силовые чипы — драйверы затворов
Доставка ISL89164FBEAZ по России Силовые чипы — драйверы затворов ISL89164FBEAZ Intersil в нашем каталоге. В наличии ISL89164FBEAZ с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 630 руб. Срок поставки уточняйте. (MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC).

ISL89164FBEAZ характеристики

ПроизводительIntersil
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTube
Вид монтажаSurface Mount
Корпус8-SOIC (0.154
3.90mm Width) Exposed PadТип входа
InvertingРабочая температура
-40°C ~ 125°C (TJ)Исполнение корпуса
8-SOIC-EPBase Part Number
ISL89164Напряжение питания
4.5 V ~ 16 VТип канала
IndependentКонфигурация
Low-SideЧисло драйверов
2Тип затвора
N-Channel MOSFETЛогическое напряжение (VIL
VIH)1.22V
2.08VВыходной ток
6A6A
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)20ns

Рекомендации по подбору

Драйвер ISL89164FBEAZ — двухканальный низкосторонний драйвер MOSFET с выходным током до 6 А на канал и напряжением питания 4,5–16 В. Корпус 8-SOIC с exposed pad обеспечивает эффективный отвод тепла, а инвертирующий вход расширяет совместимость с различными контроллерами.

При замене или выборе аналога ключевое внимание уделите напряжению питания, логическим порогам (VIL 1,22 В, VIH 2,08 В), типу входа и тепловым свойствам корпуса. Несовпадение параметров может привести к отказам или снижению эффективности.

  • Сверьте диапазон рабочего напряжения VDD аналога — он должен полностью перекрывать 4,5–16 В. Выход за границы вызовет нестабильность или пробой.
  • Проверьте совместимость логических уровней: пороги VIL/VIH должны быть совместимы с вашим сигналом управления. Для ISL89164 типовые пороги — 1,22 В и 2,08 В.
  • Убедитесь в идентичности конфигурации (low-side, независимые каналы) и полярности входа (инвертирующий). Замена на драйвер с неинвертирующим входом потребует изменения схемы включения.
  • Оцените тепловые ограничения: корпус 8-SOIC-EP требует монтажа на теплоотводящую площадку. При переходе на обычный SOIC-8 без EP допустимая мощность рассеяния значительно ниже — возможен перегрев.

Похожие товары