IS63WV1288DBLL-10TLI (IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II)

IS63WV1288DBLL-10TLI (IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II)
Доставка IS63WV1288DBLL-10TLI по России Модули памяти IS63WV1288DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS63WV1288DBLL-10TLI с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 724.80 руб. Срок поставки уточняйте. (IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II).

IS63WV1288DBLL-10TLI характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
32-SOIC (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса32-TSOP II
Напряжение питания2.4 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти1Mb (128K x 8)
Время доступа10ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
10nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема IS63WV1288DBLL-10TLI — асинхронная статическая память (SRAM) объёмом 1 Мбит (128K×8) с временем доступа 10 нс, в корпусе 32-TSOP II, диапазон рабочих температур от –40 до +85 °C. Применяется в системах, требующих быстрого параллельного обмена данными. При подборе аналога в первую очередь сравнивайте напряжение питания (2,4–3,6 В), время доступа и тип корпуса. Даже при формальном совпадении могут отличаться токи потребления, логические уровни и временные диаграммы — это критично для совместимости. Замена без проверки всех параметров увеличивает риск нестабильной работы или выхода модуля из строя.
  • Убедитесь в полном совпадении назначения выводов (CЕ#, ОЕ#, WE#) и их активных уровней – не все SRAM одного форм-фактора совместимы по управлению.
  • Проверьте корпус: 32-TSOP II с шагом 0,5 мм; альтернативы в SOIC или BGA потребуют изменения топологии платы.
  • Сравните максимальный активный ток (ICC) и ток утечки – превышение этих значений ведёт к перегреву и сокращению срока службы.
  • Обратите внимание на минимальное время цикла записи/чтения: 10 нс – предельное значение; попытка ускорить цикл может вызвать ошибки данных.

Похожие товары