IS62WV2568EBLL-45TLI-TR (IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP)

IS62WV2568EBLL-45TLI-TR (IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP)
Доставка IS62WV2568EBLL-45TLI-TR по России Модули памяти IS62WV2568EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS62WV2568EBLL-45TLI-TR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP).

IS62WV2568EBLL-45TLI-TR характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Технология
SRAM - AsynchronousРабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Напряжение питания
2.2 V ~ 3.6 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
2Mb (256K x 8)Время доступа
45nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page45ns
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Микросхема IS62WV2568EBLL-45TLI-TR представляет собой асинхронную SRAM объемом 2 Мбит (256K×8) с параллельным интерфейсом и временем доступа 45 нс. Корпус 32-выводной STSOP, диапазон питания 2,2–3,6 В, рабочая температура от –40 до +85 °C. При подборе функционального аналога в первую очередь проверяют соответствие по типу памяти (SRAM асинхронная), объему, организации, напряжению питания и скорости. Критичны также цоколевка и температурный диапазон — замена на микросхему с более узким диапазоном (например, коммерческим 0..70°C) недопустима для промышленных условий.

Перед заменой необходимо убедиться в полной совместимости по временной диаграмме: время доступа, длительность цикла записи/чтения, тактовые задержки. Даже при совпадении основных параметров различия в выходном токе или входных порогах могут привести к сбоям. Риски при использовании неоригинального аналога включают нестабильную работу на границах напряжения, наводки из-за несоответствия корпуса, а также снижение помехоустойчивости. Рекомендуется тестировать партию на реальном оборудовании перед серийным применением.

  • Критерии выбора аналога: объём и организация памяти, напряжение питания, время доступа, тип корпуса, температурный диапазон.
  • Проверка совместимости: сравнение цоколевки (pin‑to‑pin), временных параметров datasheet и электрических характеристик (входные/выходные уровни).
  • Риски при замене: несовпадение по току потребления, более высокое энергопотребление, невозможность работы при низком напряжении, нарушение целостности сигналов.
  • Дополнительно: для асинхронной SRAM критично отсутствие встроенной тактовой синхронизации — аналог должен иметь тот же тип управления (chip enable, output enable, write enable).

Похожие товары