+7(916) 225-43-02

IS62WV25616BLL-55TLI (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II)

IS62WV25616BLL-55TLI (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IS62WV25616BLL-55TLI по России Модули памяти IS62WV25616BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS62WV25616BLL-55TLI с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 1117.20 руб. Срок поставки уточняйте. (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II).

IS62WV25616BLL-55TLI характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
44-TSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса44-TSOP II
Напряжение питания2.5 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Mb (256K x 16)
Время доступа55ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
55nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

При замене IS62WV25616BLL-55TLI необходимо учитывать ключевые параметры: ёмкость 4 Мбит (256K×16), асинхронный интерфейс, напряжение питания 2.5–3.6 В и время доступа 55 нс. Несовпадение хотя бы одного параметра может привести к сбоям в работе устройства.

Для выбора аналога проверьте совместимость по корпусу (44-TSOP II), температурному диапазону (-40…85 °C) и типу памяти (SRAM, volatile). Даже при идентичных электрических характеристиках разница в топологии выводов или порядке адресации у разных производителей иногда вызывает ошибки.

  • Критерии выбора: объём, организация (x16), напряжение питания, скорость доступа (не выше 55 нс) и тип корпуса (44-TSOP II).
  • Проверка совместимости: убедитесь в совпадении распиновки, а также в поддержке асинхронного режима работы и одинаковой ёмкости нагрузки на линиях.
  • Риски при замене: несоответствие напряжения питания (например, 3.3 В вместо 2.5 В) может вывести компонент из строя; различия в таймингах (tRC, tAA) способны нарушить целостность данных на высоких частотах.

Похожие товары