IS61NLP25636A-200TQLI-TR (IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP)

IS61NLP25636A-200TQLI-TR характеристики
| Производитель | ISSI |
|---|---|
| Integrated Silicon Solution Inc | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tape & Reel (TR) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 100-LQFP | Технология |
| SRAM - Synchronous | Рабочая температура |
| -40°C ~ 85°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 100-TQFP (14x20) | Напряжение питания |
| 3.135 V ~ 3.465 V | Тип памяти |
| Volatile | Объем памяти |
| 9Mb (256K x 36) | Clock Frequency |
| 200MHz | Время доступа |
| 3.1ns | Memory Format |
| SRAM | Write Cycle Time - Word |
| Page | - |
| Memory Interface | Parallel |
Рекомендации по подбору
IS61NLP25636A-200TQLI-TR — синхронная статическая память (SRAM) объёмом 9 Мбит с организацией 256K × 36. Микросхема работает на частоте до 200 МГц, обеспечивает время доступа 3,1 нс и питается от напряжения 3,135–3,465 В. Корпус 100-TQFP с размерами 14×20 мм, диапазон рабочих температур от –40 до +85 °C. Параллельный интерфейс и синхронная архитектура делают её подходящей для высокоскоростных буферов и кэш-памяти в телекоммуникационном и промышленном оборудовании.
При выборе аналога учитывайте не только ёмкость и организацию, но и временные параметры: частота должна быть не ниже 200 МГц, время доступа — не более 3,1 нс. Критически важна совместимость по напряжению (3,3 В с допуском ±5 %) и корпусу: 100-TQFP с шагом выводов 0,5 мм. Замена на асинхронную SRAM невозможна без изменения логики управления. Риски замены связаны с различиями в таймингах установки и удержания, а также с отличиями в организации страничного режима записи — это может приводить к сбоям на высоких частотах при несоответствии спецификаций.
- Критерии выбора аналога: тактовая частота ≥200 МГц, время доступа ≤3,1 нс, напряжение питания 3,135–3,465 В, корпус 100-TQFP, синхронный параллельный интерфейс.
- Проверка совместимости: убедитесь, что организация памяти (256K × 36) и страничный режим записи совпадают — иначе потребуется переработка схемы управления.
- Риски при замене: несовпадение временных диаграмм (setup/hold time) вызывает нестабильную запись/чтение; различия в тепловом сопротивлении корпуса могут влиять на надёжность в жёстких условиях эксплуатации.


