+7(916) 225-43-02

IS43TR16128BL-125KBLI-TR (IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA)

IS43TR16128BL-125KBLI-TR (IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IS43TR16128BL-125KBLI-TR по России Модули памяти IS43TR16128BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS43TR16128BL-125KBLI-TR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA).

IS43TR16128BL-125KBLI-TR характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
96-TFBGAТехнология
SDRAM - DDR3LРабочая температура
-40°C ~ 95°C (TC)Исполнение корпуса
96-TWBGA (9x13)Напряжение питания
1.283 V ~ 1.45 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
2Gb (128M x 16)Clock Frequency
800MHzВремя доступа
20nsMemory Format
DRAMWrite Cycle Time - Word
Page15ns
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

IS43TR16128BL-125KBLI-TR — это микросхема DRAM DDR3L ёмкостью 2 Гбит (128M x 16) в корпусе 96-TWBGA (9x13 мм). Работает при напряжении 1.283–1.45 В, частоте до 800 МГц, время доступа 20 нс, температурный диапазон -40…+95 °C, что подходит для промышленных применений.

При подборе аналога критично не путать DDR3L (1.35 В) с обычной DDR3 (1.5 В) — это ведёт к перегреву и сбоям. Для замены необходимо проверить организацию (128M x 16), корпус, временные характеристики (CL, tRCD, tRP) и рабочую температуру. Совместимость подтверждается только на стенде с учётом конкретного контроллера памяти.

  • Напряжение питания: DDR3L требует 1.35 В — использование DDR3 1.5 В недопустимо.
  • Организация и корпус: 128M x 16, 96-TWBGA (9x13 мм) — любой другой вариант приведёт к ошибкам адресации или невозможности монтажа.
  • Временные параметры: частота 800 МГц, задержки 20 нс — более медленный аналог снизит производительность, более быстрый может не стабилизироваться.
  • Температурный диапазон: -40…+95 °C — коммерческие версии (0…+70 °C) непригодны для расширенного диапазона.

Похожие товары