+7(916) 225-43-02

IS43R16800E-5TLI-TR (IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II)

IS43R16800E-5TLI-TR (IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IS43R16800E-5TLI-TR по России Модули памяти IS43R16800E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS43R16800E-5TLI-TR с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 836.40 руб. Срок поставки уточняйте. (IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II).

IS43R16800E-5TLI-TR характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
66-TSSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSDRAM - DDR
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса66-TSOP II
Напряжение питания2.3 V ~ 2.7 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти128Mb (8M x 16)
Clock Frequency200MHz
Время доступа700ps
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
15nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

IS43R16800E-5TLI-TR — микросхема синхронной динамической памяти DDR SDRAM объёмом 128 Мбит (8M x 16) в корпусе 66-TSOP II. Напряжение питания 2,3–2,7 В, тактовая частота до 200 МГц, время доступа 700 пс. Диапазон рабочих температур от –40 до +85 °C позволяет использовать её в промышленных и коммерческих устройствах.

При подборе аналога или замены необходимо сопоставить ключевые электрические и временные параметры. Несовместимость по напряжению, частоте или таймингам может привести к нестабильной работе или выходу устройства из строя.

  • Критерии выбора аналога: объём (128 Мбит), организация (x16), тип DDR, корпус 66-TSOP II, промышленный температурный диапазон.
  • Проверка совместимости: убедитесь, что напряжение питания (±10%), тактовая частота (≥200 МГц) и время доступа (≤700 пс) совпадают или перекрывают оригинальные значения.
  • Риски при замене: различия в таймингах (особенно write cycle time), распиновке или логике управляющих сигналов; требуется тестирование в рабочем режиме при крайних температурах.

Похожие товары