+7(916) 225-43-02

IS43DR86400E-25DBL (IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA)

IS43DR86400E-25DBL (IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IS43DR86400E-25DBL по России Модули памяти IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS43DR86400E-25DBL с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 621.60 руб. Срок поставки уточняйте. (IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA).

IS43DR86400E-25DBL характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
TrayВид монтажа
Surface MountКорпус
60-TFBGAТехнология
SDRAM - DDR2Рабочая температура
0°C ~ 85°C (TC)Исполнение корпуса
60-TWBGA (8x10.5)Напряжение питания
1.7 V ~ 1.9 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
512Mb (64M x 8)Clock Frequency
400MHzВремя доступа
400nsMemory Format
DRAMWrite Cycle Time - Word
Page15ns
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

IS43DR86400E-25DBL — 512-мегабитная DDR2 SDRAM от ISSI в корпусе 60-TWBGA (8x10,5 мм). Память организована как 64M x 8 бит, работает при напряжении 1,7–1,9 В и тактовой частоте до 400 МГц (время доступа 400 нс). Микросхема предназначена для поверхностного монтажа и поддерживает рабочий диапазон температур от 0 до 85 °C. Чаще всего используется в промышленных контроллерах, сетевом оборудовании и встраиваемых системах.

При подборе аналога важно учитывать электрические и механические параметры, а также совместимость с контроллером памяти. Даже незначительное отклонение по напряжению или таймингам может привести к сбоям или выходу устройства из строя.

  • Критерии выбора аналога: напряжение питания (строго 1,7–1,9 В), тактовая частота (≥400 МГц), организация (64M x 8), корпус (60-TWBGA с шагом выводов). Обратите внимание на время доступа и скорость записи страницы (15 нс).
  • Проверка совместимости: сверьте распиновку (совпадает ли с заменяемой), поддержку DDR2 вашим контроллером (напряжение I/O, импеданс) и температурный диапазон. Для {region} также учитывайте наличие документации на русском или универсальные даташиты.
  • Риски при замене: использование неподходящего напряжения (выше 1,9 В) или более медленной частоты может вызвать ошибки чтения/записи или перегрев. Несовместимость по корпусу (разные размеры или шаг) потребует переразводки платы.

Похожие товары