IS42VM32160E-75BLI-TR (IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA)
Доставка IS42VM32160E-75BLI-TR по России Модули памяти IS42VM32160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS42VM32160E-75BLI-TR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA).
IS42VM32160E-75BLI-TR характеристики
| Производитель | ISSI |
|---|---|
| Integrated Silicon Solution Inc | Серия |
| - | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tape & Reel (TR) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 90-TFBGA | Технология |
| SDRAM - Mobile | Рабочая температура |
| -40°C ~ 85°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 90-TFBGA (8x13) | Напряжение питания |
| 1.7 V ~ 1.95 V | Тип памяти |
| Volatile | Объем памяти |
| 512Mb (16M x 32) | Clock Frequency |
| 133MHz | Время доступа |
| 6ns | Memory Format |
| DRAM | Write Cycle Time - Word |
| Page | - |
| Memory Interface | Parallel |
Рекомендации по подбору
Микросхема IS42VM32160E-75BLI-TR представляет собой мобильную SDRAM объемом 512 Мбит с организацией 16M x 32 и интерфейсом Parallel. Корпус 90-TFBGA (8x13) и диапазон напряжения питания 1,7–1,95 В характерны для энергоэффективных решений. При подборе функционального аналога в первую очередь необходимо сверить тактовую частоту (133 МГц), время доступа (6 нс) и температурный диапазон (-40…+85 °C).
Для замены также критична совместимость по выводам (pin-to-pin) и топологии корпуса, особенно в плотных BGA-монтажах. Использование непроверенного аналога без учета параметров задержки и нагрузки на шину может привести к сбоям синхронизации или нестабильной работе контроллера памяти.
- Проверьте соответствие напряжения питания (1,7–1,95 В) и поддержку мобильного режима (Mobile SDRAM) у кандидата на замену.
- Убедитесь в идентичности цоколевки и механических размеров корпуса (90-TFBGA, 8x13 мм) — несоответствие хотя бы одного вывода делает замену невозможной.
- Оцените риски: использование аналога с более высоким временем доступа (>6 нс) или пониженной тактовой частотой (<133 МГц) снизит пропускную способность памяти.
Похожие товары
70V3599S166DR (IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьST202ECWR (IC TRANSCEIVER 5V RS232 16 SOIC)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьMAX11138ATI+ (IC ADC 10BIT SRL 500KSPS 28TQFN)
Категория:
Интегральные микросхемы
1305.60₽
ЗаказатьS-1323B55NB-N9OTFG (IC REG LINEAR 5.5V 150MA SC82AB)
Категория:
Интегральные микросхемы
Заказать
