IS42VM32160E-75BLI-TR (IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA)

IS42VM32160E-75BLI-TR (IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA)
Доставка IS42VM32160E-75BLI-TR по России Модули памяти IS42VM32160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS42VM32160E-75BLI-TR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA).

IS42VM32160E-75BLI-TR характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
90-TFBGAТехнология
SDRAM - MobileРабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
90-TFBGA (8x13)Напряжение питания
1.7 V ~ 1.95 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
512Mb (16M x 32)Clock Frequency
133MHzВремя доступа
6nsMemory Format
DRAMWrite Cycle Time - Word
Page-
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Микросхема IS42VM32160E-75BLI-TR представляет собой мобильную SDRAM объемом 512 Мбит с организацией 16M x 32 и интерфейсом Parallel. Корпус 90-TFBGA (8x13) и диапазон напряжения питания 1,7–1,95 В характерны для энергоэффективных решений. При подборе функционального аналога в первую очередь необходимо сверить тактовую частоту (133 МГц), время доступа (6 нс) и температурный диапазон (-40…+85 °C).

Для замены также критична совместимость по выводам (pin-to-pin) и топологии корпуса, особенно в плотных BGA-монтажах. Использование непроверенного аналога без учета параметров задержки и нагрузки на шину может привести к сбоям синхронизации или нестабильной работе контроллера памяти.

  • Проверьте соответствие напряжения питания (1,7–1,95 В) и поддержку мобильного режима (Mobile SDRAM) у кандидата на замену.
  • Убедитесь в идентичности цоколевки и механических размеров корпуса (90-TFBGA, 8x13 мм) — несоответствие хотя бы одного вывода делает замену невозможной.
  • Оцените риски: использование аналога с более высоким временем доступа (>6 нс) или пониженной тактовой частотой (<133 МГц) снизит пропускную способность памяти.

Похожие товары