IS42S83200J-6TL-TR (IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP)

IS42S83200J-6TL-TR (IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP)
Доставка IS42S83200J-6TL-TR по России Модули памяти IS42S83200J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS42S83200J-6TL-TR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP).

IS42S83200J-6TL-TR характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
54-TSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSDRAM
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса54-TSOP II
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти256Mb (32M x 8)
Clock Frequency166MHz
Время доступа5.4ns
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Рекомендации по подбору

При подборе аналога для IS42S83200J-6TL-TR (256 Мбит SDRAM, организация 32M x 8, частота 166 МГц, напряжение 3,3 В) ключевыми критериями являются объём памяти, разрядность шины данных, быстродействие и тип корпуса. Даже незначительное расхождение по напряжению питания или временным параметрам может вызвать нестабильность работы схемы.

Перед заменой обязательно сверьте электрические характеристики и временные диаграммы из datasheet. Обратите внимание на рабочий температурный диапазон (0…70 °C) и корпус 54-TSOP II — некоторые аналоги имеют другую распиновку или отличаются по длительности цикла записи.

  • Проверьте объём и организацию: замена на 16M x 16 потребует изменения разводки шины данных.
  • Убедитесь, что частота (166 МГц) и время доступа (5,4 нс) совпадают или превышают исходные.
  • Сравните напряжение питания (3,0–3,6 В) и допустимые пульсации.
  • Уточните совместимость по корпусу (54-TSOP) и температурному диапазону.

Похожие товары