+7(916) 225-43-02

IS42S83200D-75ETLI-TR (IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP)

IS42S83200D-75ETLI-TR (IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IS42S83200D-75ETLI-TR по России Модули памяти IS42S83200D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc в нашем каталоге. В наличии IS42S83200D-75ETLI-TR с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP).

IS42S83200D-75ETLI-TR характеристики

ПроизводительISSI
Integrated Silicon Solution IncСерия
-Part Status
ActiveУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
54-TSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSDRAM
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса54-TSOP II
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти256Mb (32M x 8)
Clock Frequency133MHz
Время доступа5.5ns
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Рекомендации по подбору

IS42S83200D-75ETLI-TR — SDRAM-микросхема ёмкостью 256 Мбит (организация 32M×8) с частотой до 133 МГц и напряжением 3.3 В. Выполнена в корпусе 54-TSOP II, рабочая температура от -40 до +85°C. Применяется в встраиваемых системах и промышленной электронике.

Для поиска функционального аналога критично сопоставить ключевые параметры: тактовую частоту, напряжение питания, временные характеристики и корпус. Ошибка в любом из этих пунктов может сделать замену невозможной или привести к нестабильной работе.
  • Частота: обязательна поддержка 133 МГц; использование более медленной микросхемы снизит быстродействие.
  • Напряжение: строго 3.0–3.6 В; замена на чип с другим уровнем (например 2.5 В) недопустима.
  • Корпус и цоколёвка: только 54-TSOP II; несовпадение требует переразводки платы.
  • Время доступа: 5.5 нс — более медленный аналог нарушит тайминги контроллера памяти.

Похожие товары