IR2113SPBF (IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC)

Доставка IR2113SPBF по России Силовые чипы — драйверы затворов IR2113SPBF Infineon Technologies в нашем каталоге. В наличии IR2113SPBF с доставкой по всей России через транспортные компании. Цена от 1011.60 руб. Срок поставки уточняйте. (IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC).
IR2113SPBF характеристики
| Производитель | Infineon Technologies |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | 16-SOIC (0.295 |
| 7.50mm Width) | Тип входа |
| Non-Inverting | Рабочая температура |
| -40°C ~ 150°C (TJ) | Исполнение корпуса |
| 16-SOIC | Base Part Number |
| IR2113SPBF | Напряжение питания |
| 3.3 V ~ 20 V | Тип канала |
| Independent | Конфигурация |
| Half-Bridge | Число драйверов |
| 2 | Тип затвора |
| IGBT | N-Channel MOSFET |
| Логическое напряжение (VIL | VIH) |
| 6V | 9.5V |
| Выходной ток | 2A |
| 2A | Максимальное напряжение |
| 600V | Время нарастания / Время затухания (Номинальное) |
| 25ns | 17ns" |
Рекомендации по подбору
Микросхема IR2113SPBF от Infineon — это высоковольтный драйвер верхнего и нижнего плеча для управления N-канальными MOSFET и IGBT. Рабочее напряжение до 600 В, выходной ток 2 А, корпус 16-SOIC. Применяется в полумостовых и H-мостовых схемах импульсных источников питания, преобразователей частоты и инверторов.
При подборе функционального аналога или замене необходимо учитывать не только номиналы, но и совместимость по логике управления, защитным функциям и динамическим параметрам. Ниже приведены ключевые критерии проверки и возможные риски.
- Сравните максимальное напряжение смещения (VS) и диапазон питания VCC: аналог должен обеспечить тот же или больший запас по напряжению.
- Убедитесь в идентичности конфигурации выходных каналов (high-side/low-side) и наличии схемы bootstrap — у некоторых аналогов она может отсутствовать.
- Оцените временные характеристики (время нарастания/спада, задержки распространения): отклонение от номинала IR2113SPBF может вызвать сквозные токи или неполное насыщение транзисторов.
- Риски при замене: несовместимость с логическими уровнями (например, 3.3 В вместо 5 В), недостаточный пиковый ток (менее 2 А) и отсутствие защиты от перегрузки или UVLO.
Похожие товары
MC68360ZP25VL (IC MPU M683XX 25MHZ 357BGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьM74HC11TTR (IC GATE AND 3CH 3-INP 14TSSOP)
Категория:
Интегральные микросхемы
ЗаказатьNCP4587DSN12T1G (IC REG LINEAR 1.2V 150MA SOT23-5)
Категория:
Интегральные микросхемы
84₽
ЗаказатьXCKU035-1FFVA1156C (IC FPGA 520 I/O 1156FCBGA)
Категория:
Интегральные микросхемы
408997.20₽
Заказать
