IDT71V67803S166PF (IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP)

IDT71V67803S166PF характеристики
| Производитель | IDT |
|---|---|
| Integrated Device Technology Inc | Серия |
| - | Part Status |
| Obsolete | Упаковка |
| Tray | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 100-LQFP | Технология |
| SRAM - Synchronous | Рабочая температура |
| 0°C ~ 70°C (TA) | Исполнение корпуса |
| 100-TQFP (14x14) | Base Part Number |
| IDT71V67803 | Напряжение питания |
| 3.135 V ~ 3.465 V | Тип памяти |
| Volatile | Объем памяти |
| 9Mb (512K x 18) | Clock Frequency |
| 166MHz | Время доступа |
| 3.5ns | Memory Format |
| SRAM | Write Cycle Time - Word |
| Page | - |
| Memory Interface | Parallel |
Рекомендации по подбору
Микросхема IDT71V67803S166PF представляет собой синхронную SRAM объемом 9 Мбит (512K×18) в корпусе 100-TQFP. Компонент снят с производства (Obsolete), поэтому при проектировании или ремонте устройств требуется подбор функционального аналога. Основные параметры для замены: напряжение питания 3,135–3,465 В, тактовая частота до 166 МГц, время доступа 3,5 нс, поддержка параллельного интерфейса и рабочая температура 0…70 °C.
При выборе аналога критично совпадение топологии выводов (pin-to-pin), организации памяти (512K×18 или совместимая ширина) и временных характеристик. Даже незначительное расхождение по напряжению или задержкам может привести к сбоям в высокоскоростных схемах. Рекомендуется сверять даташиты и учитывать возможные различия в синхронном управлении (например, поддержка burst-режимов).
- Проверьте совместимость по корпусу и распиновке: альтернативы в 100-TQFP от других производителей (Renesas, Cypress) могут иметь незначительные отличия в назначении выводов.
- Убедитесь, что аналог поддерживает ту же тактовую частоту и время доступа — замена на более медленный чип вызовет нарушение таймингов.
- Оцените риски при замене устаревшей микросхемы: возможна необходимость обновления прошивки контроллера или изменения схемы питания из-за отличий в потребляемом токе.
- Для ответственных применений тестируйте аналог в реальных условиях, особенно если изменяется технологический процесс (например, переход с 130 нм на 90 нм).

