IDT71V65903S80PFI8 (IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP)

IDT71V65903S80PFI8 (IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP)
Доставка IDT71V65903S80PFI8 по России Модули памяти IDT71V65903S80PFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии IDT71V65903S80PFI8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP).

IDT71V65903S80PFI8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
100-LQFPТехнология
SRAM - Synchronous ZBTРабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)Исполнение корпуса
100-TQFP (14x14)Base Part Number
IDT71V65903Напряжение питания
3.135 V ~ 3.465 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
9Mb (512K x 18)Время доступа
8nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page-
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

Микросхема IDT71V65903S80PFI8 — синхронная ZBT SRAM ёмкостью 9 Мбит (512K×18) с временем доступа 8 нс, в корпусе 100-TQFP. Устройство работает при напряжении 3,3 В (3,135–3,465 В) в диапазоне температур –40…85 °C. Статус Obsolete означает, что подбор функционального аналога требует тщательной проверки совместимости.

Ключевые критерии при выборе замены:

  • Объём и организация: строго 9 Мбит (512K×18) или совместимая конфигурация (например, 256K×36) с возможностью переключения разрядности по схеме.
  • Интерфейс: синхронный ZBT (Zero Bus Turnaround) — асинхронные SRAM не поддерживают нужный протокол обмена.
  • Корпус: 100-TQFP (14×14 мм) с шагом выводов 0,5 мм; варианты BGA или других типов требуют изменения печатной платы.
  • Временные параметры: время доступа ≤8 нс и соответствие временных диаграмм (setup/hold, тактовая частота).

Основные риски при замене: несовпадение логических уровней (если аналог рассчитан на 1,8 В), отсутствие полной поддержки ZBT-режима, различия в энергопотреблении и тепловыделении. Перед внедрением обязательно выполните симуляцию или испытания на макете, чтобы убедиться в стабильной работе в вашей схеме.

Похожие товары