+7(916) 225-43-02

IDT71V416YS12YI (IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ)

IDT71V416YS12YI (IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IDT71V416YS12YI по России Модули памяти IDT71V416YS12YI IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии IDT71V416YS12YI с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ).

IDT71V416YS12YI характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
TubeВид монтажа
Surface MountКорпус
44-BSOJ (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса44-SOJ
Base Part NumberIDT71V416
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Mb (256K x 16)
Время доступа12ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
12nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

IDT71V416YS12YI — асинхронная SRAM ёмкостью 4 Мбит (256K×16) с параллельным интерфейсом в корпусе 44SOJ. Питание 3,3 В (3,0–3,6 В), время доступа 12 нс, рабочий диапазон температур −40…85 °C. Микросхема снята с производства, поэтому при подборе замены важно оценивать совместимость по нескольким ключевым параметрам.

Для корректной замены сверяйте не только тип корпуса и объём памяти, но и электрические характеристики, а также тайминги цикла записи. Обратите внимание на режим page write — у разных производителей он может отличаться, что влияет на работу с контроллером.

  • Корпус и цоколёвка: 44SOJ (0.400″, ширина 10,16 мм) — полный аналог должен иметь такую же посадочную схему.
  • Электрика: напряжение 3,3 В, асинхронный интерфейс, время доступа 12 нс и менее (для сохранения скоростных характеристик).
  • Температурный диапазон: промышленный (−40…85 °C), для коммерческого исполнения проверяйте допустимый диапазон.
  • Риски: из-за устаревшего статуса возможны сложности с поставками; уточняйте соответствие таймингов и режимов записи перед заменой.

Похожие товары