IDT71V416YL10PH8 (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II)

IDT71V416YL10PH8 (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II)
Доставка IDT71V416YL10PH8 по России Модули памяти IDT71V416YL10PH8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии IDT71V416YL10PH8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II).

IDT71V416YL10PH8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
44-TSOP (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса44-TSOP II
Base Part NumberIDT71V416
Напряжение питания3 V ~ 3.6 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Mb (256K x 16)
Время доступа10ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
10nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

Микросхема IDT71V416YL10PH8 представляет собой асинхронную SRAM объёмом 4 Мбит (организация 256K×16) со временем доступа 10 нс. Выполнена в корпусе 44-TSOP II, работает при напряжении 3,0–3,6 В. Компонент имеет статус «устаревший» (obsolete), что необходимо учитывать при проектировании новых устройств или поиске запасных частей.

При подборе аналога или замены критично проверить электрические и механические параметры. Ошибка в выборе может вызвать нестабильную работу или выход из строя модуля. Рекомендуем сверить следующие характеристики:

  • Тип корпуса и расположение выводов — требуется строгое соответствие 44-TSOP II с той же распиновкой (пин-ту-пин).
  • Диапазон напряжения питания: допустимая замена должна работать в интервале 3,0–3,6 В (отклонение более 0,1 В может нарушить тайминги).
  • Время доступа (tAA) — не более 10 нс, иначе возможны сбои в высокоскоростных шинах.
  • Температурный диапазон: проверьте, что аналог поддерживает 0…+70 °C (или расширенный, если требуется по условиям эксплуатации).

Также убедитесь, что новый компонент доступен к поставке и не снят с производства, чтобы избежать повторной замены в будущем.

Похожие товары