+7(916) 225-43-02

IDT71V3577SA80BGG8 (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA)

IDT71V3577SA80BGG8 (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IDT71V3577SA80BGG8 по России Модули памяти IDT71V3577SA80BGG8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии IDT71V3577SA80BGG8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA).

IDT71V3577SA80BGG8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
119-BGAТехнология
SRAM - SynchronousРабочая температура
0°C ~ 70°C (TA)Исполнение корпуса
119-PBGA (14x22)Base Part Number
IDT71V3577Напряжение питания
3.135 V ~ 3.465 VТип памяти
VolatileОбъем памяти
4.5Mb (128K x 36)Время доступа
8nsMemory Format
SRAMWrite Cycle Time - Word
Page-
Memory InterfaceParallel

Рекомендации по подбору

IDT71V3577SA80BGG8 — синхронная SRAM объёмом 4,5 Мбит (128K×36) с параллельным интерфейсом в корпусе 119-PBGA. Напряжение питания — 3,3 В (допуск ±5 %), время доступа 8 нс, рабочий диапазон 0…70 °C. Компонент имеет статус Obsolete, поэтому при проектировании или ремонте требуется тщательный подбор замены.

Замена устаревшей микросхемы сопряжена с рисками: несовпадение временных диаграмм, изменение теплового режима или несоответствие корпуса. Рекомендуется сверять datasheet оригинала и кандидата и выполнять проверку на прототипе.

  • Организация памяти: обязательна полная эквивалентность — 128K×36 со встроенной синхронизацией.
  • Корпус: 119-PBGA (14×22 мм) — замена должна иметь идентичную разводку шариков.
  • Электрические параметры: напряжение 3,135–3,465 В, время доступа не более 8 нс, учёт входных/выходных уровней.
  • Температурный диапазон: 0…70 °C — сужение или расширение требует анализа схемы.

Похожие товары