+7(916) 225-43-02

IDT71016S20Y8 (IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ)

IDT71016S20Y8 (IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка IDT71016S20Y8 по России Модули памяти IDT71016S20Y8 IDT, Integrated Device Technology Inc в нашем каталоге. В наличии IDT71016S20Y8 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ).

IDT71016S20Y8 характеристики

ПроизводительIDT
Integrated Device Technology IncСерия
-Part Status
ObsoleteУпаковка
Tape & Reel (TR)Вид монтажа
Surface MountКорпус
44-BSOJ (0.40010.16mm Width)
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)
Исполнение корпуса44-SOJ
Base Part NumberIDT71016
Напряжение питания4.5 V ~ 5.5 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти1Mb (64K x 16)
Время доступа20ns
Memory FormatSRAM
Write Cycle Time - WordPage
20nsMemory Interface

Рекомендации по подбору

IDT71016S20Y8 представляет собой асинхронную SRAM с организацией 64K×16 и напряжением питания 4.5–5.5 В. При выборе аналога необходимо учитывать ёмкость, время доступа (20 нс), тип корпуса 44-SOJ и диапазон рабочих температур.

Проверка совместимости включает контроль цоколёвки, посадочного места и временных параметров. Замена на микросхему в другом корпусе или с другим интерфейсом требует переработки платы; использование более низковольтного аналога без согласования уровней ведёт к нестабильной работе.

  • Сравнивайте объём памяти и разрядность: 1 Мбит, 64K×16.
  • Убедитесь в совпадении напряжения питания и времени доступа 20 нс.
  • Проверяйте корпус 44-SOJ и распиновку перед монтажом.
  • Учитывайте температурный диапазон 0…70 °C для промышленных применений.

Похожие товары