IDT6116SA45SO8 (IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC)
IDT6116SA45SO8 характеристики
| Производитель | IDT |
|---|---|
| Integrated Device Technology Inc | Серия |
| - | Part Status |
| Obsolete | Упаковка |
| Tape & Reel (TR) | Вид монтажа |
| Surface Mount | Корпус |
| 24-SOIC (0.295 | 7.50mm Width) |
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Исполнение корпуса | 24-SOIC |
| Base Part Number | IDT6116 |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Тип памяти | Volatile |
| Объем памяти | 16Kb (2K x 8) |
| Время доступа | 45ns |
| Memory Format | SRAM |
| Write Cycle Time - Word | Page |
| 45ns | Memory Interface |
Рекомендации по подбору
IDT6116SA45SO8 — асинхронная параллельная SRAM с организацией 2K×8 бит (16 Кбит), корпус 24-SOIC, время доступа 45 нс. Питание 4.5–5.5 В, температурный диапазон 0°C…70°C. Применяется в системах, требующих быстродействующего энергозависимого хранилища данных с параллельным интерфейсом.
При подборе аналога важно оценивать не только объем и скорость, но и электрические параметры, логику управления и конструктив. Несоответствие хотя бы одного ключевого параметра может нарушить работу устройства.
- Проверяйте корпус и распиновку: IDT6116SA45SO8 имеет 24-SOIC (W) с шириной 7.5 мм, стандартную цоколевку для 6116-совместимых SRAM.
- Сверяйте напряжение питания (4.5…5.5 В) и входные/выходные уровни — замена на 3.3 В версию без преобразования интерфейса недопустима.
- Учитывайте время доступа и цикл записи: у оригинала 45 нс, аналог с большим временем доступа может вызвать сбои при работе с быстрой логикой.
- Проверяйте тайминги и режимы: для асинхронной SRAM критичны параметры Chip Enable, Output Enable и Write Enable.
Замена на совместимую SRAM от другого производителя требует сверки datasheet обоих компонентов. Ошибки при выборе аналога приводят к нестабильной работе, повреждению данных или выходу схемы из строя. В сомнительных случаях тестируйте замену в реальном режиме работы устройства.