IDC51D120T6MX1SA3 (DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER)
Доставка IDC51D120T6MX1SA3 по России Диоды — выпрямители — одиночные IDC51D120T6MX1SA3 Infineon Technologies в нашем каталоге. В наличии IDC51D120T6MX1SA3 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER).
IDC51D120T6MX1SA3 характеристики
| Производитель | Infineon Technologies |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 100A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 2.05V @ 100A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 18µA @ 1200V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 1200V |
| Скорость | Standard Recovery >500ns |
| > 200mA (Io) | Рабочая температура pn-прехода |
| -40°C ~ 175°C | Емкость @ Vr |
| F | - |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для IDC51D120T6MX1SA3? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
VS-25CTQ040STRR-M3 (DIODE SCHOTTKY 40V 15A D2PAK)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
1N5184 (DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
WNS30H100CBJ (WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/)
Категория:
Дискретные полупроводники
216
₽
Заказать
VUO25-18NO8 (RECT BRIDGE 3PH 25A 1800V FO-B)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать