HERF1008GAHC0G (DIODE, HIGH EFFICIENT)
Доставка HERF1008GAHC0G по России Диоды — выпрямители — одиночные HERF1008GAHC0G Taiwan Semiconductor Corporation в нашем каталоге. В наличии HERF1008GAHC0G с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE, HIGH EFFICIENT).
HERF1008GAHC0G характеристики
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Серия | Automotive |
| AEC-Q101 | Part Status |
| Active | Упаковка |
| Tube | Вид монтажа |
| Through Hole | Корпус |
| TO-220-3 Full Pack | Isolated Tab |
| Исполнение корпуса | ITO-220AB |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 10A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1.7V @ 5A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 10µA @ 1000V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 1000V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 80ns |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 150°C |
| Емкость @ Vr | F |
| 40pF @ 4V | 1MHz |
Рекомендации по подбору
Диод HERF1008GAHC0G от Taiwan Semiconductor Corporation представляет собой высокоэффективный компонент, предназначенный для использования в автомобильной электронике. При выборе аналогов важно учитывать характеристики, такие как максимальное обратное напряжение, средний выпрямленный ток и скорость восстановления, чтобы обеспечить совместимость с существующими схемами.
Перед заменой диода рекомендуется проверить его параметры на соответствие требованиям вашего устройства. Это поможет избежать возможных рисков, таких как перегрев или выход из строя системы. Обратите внимание на следующие критерии:
- Максимальное обратное напряжение (Vr)
- Средний выпрямленный ток (Io)
- Скорость восстановления (trr)
- Температурный диапазон работы
Похожие товары
ER2JTR (DIODE GEN PURP 600V 2A SMB)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
BAS16J/ZLX (DIODE GEN PURP 100V 250MA SC90)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
NSDEMP11XV6T5 (DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563)
Категория:
Дискретные полупроводники
13.20
₽
Заказать
BAS386-TR (DIODE GP 50V 200MA MICROMELF)
Категория:
Дискретные полупроводники
110.40
₽
Заказать