+7(916) 225-43-02

H11F2M (OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP)

H11F2M (OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP)
Изоляторы Оптопары с транзисторным выходом
Доставка H11F2M по России Оптопары с транзисторным выходом H11F2M ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии H11F2M с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP).

H11F2M характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Part StatusObsolete
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Корпус6-DIP (0.300
7.62mm)Тип входа
DCРабочая температура
-40°C ~ 100°CТип выходного сигнала
MOSFETКоличество каналов
1Исполнение корпуса
6-DIPВыходной ток на канал
-Изоляционное напряжение
7500VpkВремя нарастания / Время затухания (Номинальное)
-Прямое напряжение (Vf)
1.3VВыходное напряжение (Макс)
30VПрямой ток (If) (Max)
60mAКоэффициент усиления по току (Мин)
-Коэффициент усиления по току (Макс)
-Время включения / выключения (номинальное)
45µs45µs (Max)
Напряжение насыщения (Макс)-"

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для H11F2M? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары