H11AA1-X007 (OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD)

H11AA1-X007 (OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD)
Доставка H11AA1-X007 по России Оптопары с транзисторным выходом H11AA1-X007 Vishay Semiconductor Opto Division в нашем каталоге. В наличии H11AA1-X007 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD).

H11AA1-X007 характеристики

ПроизводительVishay Semiconductor Opto Division
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTube
Вид монтажаSurface Mount
Корпус6-SMD
Gull WingТип входа
ACDC
Рабочая температура-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигналаTransistor with Base
Количество каналов1
Исполнение корпуса6-SMD
Выходной ток на канал-
Изоляционное напряжение5300Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)-
Прямое напряжение (Vf)1.2V
Выходное напряжение (Макс)30V
Прямой ток (If) (Max)60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)20% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)-
Время включения / выключения (номинальное)-
Напряжение насыщения (Макс)400mV

Рекомендации по подбору

Оптопара H11AA1-X007 (Vishay) обеспечивает гальваническую развязку до 5300 В RMS и поддерживает работу как от переменного, так и от постоянного тока благодаря входу на светодиоде без выпрямителя. Транзисторный выход с выводом базы в корпусе 6-SMD (Gull Wing) позволяет гибко управлять нагрузкой до 30 В, что актуально для промышленных интерфейсов и блоков питания.

При подборе замены ключевые параметры — прямой ток (макс. 60 мА), прямое напряжение (1,2 В) и коэффициент передачи тока (CTR не менее 20% при 10 мА). Выходное напряжение насыщения до 400 мВ влияет на потери в ключевом режиме. Аналоги должны строго соответствовать этим характеристикам, иначе возможны сбои или снижение помехоустойчивости.

  • Проверьте изоляцию: альтернатива должна иметь не менее 5,3 кВ RMS, иначе теряется класс безопасности.
  • Совместимость по CTR: меньший коэффициент потребует корректировки резисторов или усилителя; больший — может привести к перенасыщению.
  • Учтите наличие вывода базы — его отсутствие у типовых оптопар (без базы) меняет схему управления транзистором.
  • Риски при замене: несовпадение корпуса (SMD vs DIP), диапазона температур (−55…+100°C) или частотных свойств может потребовать изменения топологии платы.

Похожие товары