H11A817C3SD (OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD)

H11A817C3SD (OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD)
Доставка H11A817C3SD по России Оптопары с транзисторным выходом H11A817C3SD ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии H11A817C3SD с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD).

H11A817C3SD характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Part StatusObsolete
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус4-SMD
Gull WingТип входа
DCРабочая температура
-55°C ~ 100°CТип выходного сигнала
TransistorКоличество каналов
1Исполнение корпуса
4-SMDВыходной ток на канал
50mAИзоляционное напряжение
5300VrmsВремя нарастания / Время затухания (Номинальное)
2.4µs2.4µs
Прямое напряжение (Vf)1.2V
Выходное напряжение (Макс)70V
Прямой ток (If) (Max)50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)200% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)400% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)-
Напряжение насыщения (Макс)200mV

Рекомендации по подбору

Оптопара H11A817C3SD от ON Semiconductor представляет собой изолирующий компонент с транзисторным выходом в корпусе 4-SMD для поверхностного монтажа. Напряжение изоляции — 5300 Вrms, коэффициент передачи тока (CTR) — 200–400% при токе входа 5 мА. Устройство устаревшее (Obsolete), поэтому при проектировании или ремонте требуется корректный подбор аналога.

При замене необходимо учитывать электрические и конструктивные параметры, чтобы избежать снижения надёжности или выхода схемы из строя. Основные риски связаны с несовпадением CTR, напряжения изоляции или цоколёвки. Ниже приведены критерии для выбора подходящей замены.

  • Корпус и монтаж: только 4-SMD с выводами типа Gull Wing, иначе потребуется изменение топологии печатной платы.
  • Электрическая изоляция: не менее 5,3 кВ (с запасом), иначе не будет гарантирована защита цепей.
  • Коэффициент передачи тока (CTR): выбирать аналог с диапазоном 200–400% при 5 мА — отклонение может изменить логические уровни на выходе.
  • Проверка совместимости по максимальному выходному напряжению (70 В) и току (50 мА) — превышение приведёт к пробою транзистора.

Похожие товары