+7(916) 225-43-02

GB20SLT12-247D (DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D)

GB20SLT12-247D (DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — наборы и массивы
Доставка GB20SLT12-247D по России Диоды — выпрямители — наборы и массивы GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии GB20SLT12-247D с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE SCHOTTKY 1.2KV 25A TO247D).

GB20SLT12-247D характеристики

ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Серия-
Part StatusActive
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
КорпусTO-247-3
Исполнение корпусаTO-247
Тип диодаSilicon Carbide Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If1.8V @ 10A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)50µA @ 1200V
Конфигурация диода1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)1200V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)25A
СкоростьFast Recovery = 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода-55°C ~ 175°C

Рекомендации по подбору

Диод GB20SLT12-247D производства GeneSiC Semiconductor представляет собой карбид-кремниевый (SiC) выпрямитель Шоттки с обратным напряжением 1200 В и средним током 25 А в корпусе TO-247. Конфигурация — два диода с общим катодом, что удобно для схем сдвоенного выпрямления или коррекции коэффициента мощности. При подборе аналога важно учитывать, что SiC-диоды характеризуются низким временем восстановления и стабильностью при высоких температурах, что отличает их от обычных кремниевых диодов. Для корректной замены сначала проверяют электрические параметры: максимальное обратное напряжение (Vrrm) и средний ток (Io) — они не должны быть ниже указанных. Также сравнивают прямое падение напряжения (Vf) при номинальном токе и ток утечки (Ir) при максимальном обратном напряжении. Особое внимание уделяют тепловым характеристикам: рабочая температура pn-перехода (Tj) и тепловое сопротивление (Rth). Ключевые риски замены включают перегрузку по обратному напряжению, превышение температуры из-за худшего теплового контакта и несовместимость по скорости переключения (SiC-диоды имеют нулевое обратное восстановление, что может потребовать коррекции снабберных цепей).
  • Выбирайте аналог с равным или большим запасом по току (не менее 25 А) и напряжению (не менее 1200 В) — для SiC-диодов запас по напряжению обязателен из-за высокой переходной ЭДС.
  • Проверьте корпус и монтаж: TO-247-3 с кольцевым выводом катода; убедитесь, что аналог имеет совместимую распиновку и изоляцию.
  • Сравните температурный диапазон: аналог должен обеспечивать работу до +175°C, особенно в приложениях с высокой нагрузкой.
  • Учтите, что замена на обычный быстровосстанавливающийся диод (Si) приведёт к росту динамических потерь (выбросы тока восстановления) — проверьте допустимость такого режима в вашей схеме.

Похожие товары