FR16K05 (DIODE GEN PURP 800V 16A DO4)
Доставка FR16K05 по России Диоды — выпрямители — одиночные FR16K05 GeneSiC Semiconductor в нашем каталоге. В наличии FR16K05 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 800V 16A DO4).
FR16K05 характеристики
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Bulk |
| Вид монтажа | Chassis |
| Stud Mount | Корпус |
| DO-203AA | DO-4 |
| Stud | Исполнение корпуса |
| DO-4 | Тип диода |
| Standard | Cреднее значение выпрямленного тока (Io) |
| 16A | Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If |
| 1.1V @ 16A | Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) |
| 25µA @ 100V | Максимальное обратное напряжение (Vr) |
| 800V | Скорость |
| Fast Recovery = 200mA (Io) | Время восстановления запорного слоя (trr) |
| 500ns | Рабочая температура pn-прехода |
| -65°C ~ 150°C | Емкость @ Vr |
| F | - |
Рекомендации по подбору
Выпрямительный диод FR16K05 от GeneSiC Semiconductor рассчитан на обратное напряжение 800 В и средний прямой ток 16 А. Корпус DO-4 (штыревой монтаж) требует крепления на шасси. Диод относится к категории быстровосстанавливающихся (Fast Recovery) с типовым временем восстановления 500 нс, что важно для высокочастотных схем. Рабочая температура pn-перехода до 150 °C.
При подборе аналога необходимо учитывать не только номиналы напряжения и тока, но и тепловые характеристики, скорость восстановления и тип корпуса. Особое внимание — механической совместимости с посадочным местом и монтажом на радиатор.
- Критерии выбора аналога: обратное напряжение не ниже 800 В, прямой ток не менее 16 А, быстродействие (trr ≤ 500 нс), аналогичный корпус DO-4 или DO-203AA.
- Проверка совместимости: соответствие размеров (цоколёвка, резьба шпильки), допустимая рассеиваемая мощность при заданных условиях охлаждения, температурный диапазон.
- Риски при замене: применение диода с меньшим быстродействием может вызвать перегрев или искажения в высокочастотных цепях; несовпадение типа монтажа (например, изолированный vs неизолированный корпус) приводит к короткому замыканию; превышение температуры pn-перехода из-за другого теплового сопротивления.
Похожие товары
1N5407GP-E3/54 (DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
10ETF12FP (DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
R5000610XXWA (RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
GBU1501TB (BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBU)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать