FODM121BR1V (OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD)

FODM121BR1V (OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD)
Доставка FODM121BR1V по России Оптопары с транзисторным выходом FODM121BR1V ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии FODM121BR1V с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD).

FODM121BR1V характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Part StatusObsolete
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус4-SMD
Gull WingТип входа
DCРабочая температура
-40°C ~ 110°CТип выходного сигнала
TransistorКоличество каналов
1Исполнение корпуса
4-Mini-FlatВыходной ток на канал
80mAИзоляционное напряжение
3750VrmsВремя нарастания / Время затухания (Номинальное)
3µs3µs
Прямое напряжение (Vf)1.3V (Max)
Выходное напряжение (Макс)80V
Прямой ток (If) (Max)50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)50% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)150% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)-
Напряжение насыщения (Макс)400mV

Рекомендации по подбору

Оптопара FODM121BR1V (ON Semiconductor) с транзисторным выходом, изоляцией 3,75 кВ и выходным током до 80 мА. Компонент снят с производства, поэтому для новых разработок или ремонта требуется подбор аналога. Ключевые параметры для сравнения: коэффициент передачи тока (CTR 50–150% при 5 мА), напряжение изоляции и скорость переключения (3 мкс).

Неучёт этих характеристик грозит нестабильной работой гальванической развязки или ложными срабатываниями. Особое внимание уделите корпусу 4-SMD (Mini-Flat) и цоколёвке — у разных производителей она может не совпадать.

  • Проверьте, что CTR аналога перекрывает требуемый диапазон для входного тока вашей схемы (обычно 5–10 мА).
  • Сравните максимальное напряжение коллектор-эмиттер (80 В) и напряжение насыщения (до 400 мВ) — критично для ключевого режима.
  • Убедитесь, что рабочая температура (−40…+110 °C) и время нарастания/спада (3 мкс) соответствуют условиям эксплуатации.

Похожие товары