FOD070LR2 (OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC)

FOD070LR2 (OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC)
Доставка FOD070LR2 по России Оптопары с транзисторным выходом FOD070LR2 ON Semiconductor в нашем каталоге. В наличии FOD070LR2 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SOIC).

FOD070LR2 характеристики

ПроизводительON Semiconductor
Серия-
Part StatusObsolete
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
Корпус8-SOIC (0.154
3.90mm Width)Тип входа
DCРабочая температура
-40°C ~ 85°CТип выходного сигнала
Darlington with BaseКоличество каналов
1Исполнение корпуса
8-SO TallВыходной ток на канал
60mAИзоляционное напряжение
2500VrmsВремя нарастания / Время затухания (Номинальное)
-Прямое напряжение (Vf)
1.35VВыходное напряжение (Макс)
7VПрямой ток (If) (Max)
20mAКоэффициент усиления по току (Мин)
400% @ 500µAКоэффициент усиления по току (Макс)
7000% @ 500µAВремя включения / выключения (номинальное)
3µs50µs
Напряжение насыщения (Макс)-"

Рекомендации по подбору

Оптопара FOD070LR2 (ON Semiconductor) представляет собой одноканальный изолятор с выходом Дарлингтона, имеющим отдельный вывод базы. Напряжение изоляции — 2500 Vrms, корпус 8-SOIC. Компонент снят с производства (Obsolete), поэтому для новых проектов или ремонта требуется подбор функционального аналога.

При замене необходимо учитывать не только типономинал, но и электрические параметры, критичные для схемы. Особое внимание стоит уделить коэффициенту передачи тока (CTR), времени переключения и наличию вывода базы, если он используется для дополнительной регулировки.

  • Совместимость по CTR: минимальное значение 400% при 500 мкА, максимальное — 7000%. Выбирайте аналог с перекрытием по диапазону, чтобы сохранить запас по усилению.
  • Изоляция и скорость: 2.5 кВ и время включения/выключения (3 мкс / 50 мкс) должны быть не хуже оригинала, иначе возможны сбои в высоковольтных или быстродействующих цепях.
  • Наличие вывода базы: не все оптопары с выходом Дарлингтона имеют этот вывод. Его отсутствие может изменить схему включения и режим работы транзистора.
  • Риски при замене: использование аналога с меньшим CTR снизит помехоустойчивость, с большим — может вызвать насыщение на малых токах. Неправильный корпус (например, DIP вместо SOIC) нарушит топологию платы.

Похожие товары