FESB8BTHE3/81 (DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB)
Доставка FESB8BTHE3/81 по России Диоды — выпрямители — одиночные FESB8BTHE3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии FESB8BTHE3/81 с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB).
FESB8BTHE3/81 характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | TO-263-3 |
| D?Pak (2 Leads + Tab) | TO-263AB |
| Исполнение корпуса | TO-263AB |
| Base Part Number | FESB8B |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 8A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 950mV @ 8A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 10µA @ 100V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 100V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 35ns |
| Рабочая температура pn-прехода | -55°C ~ 150°C |
| Емкость @ Vr | F |
Рекомендации по подбору
Выпрямительный диод FESB8BTHE3/81 от Vishay рассчитан на средний ток 8 А при обратном напряжении 100 В. Корпус TO‑263AB обеспечивает поверхностный монтаж, а время обратного восстановления 35 нс позволяет применять его в импульсных источниках питания. Устройство выдерживает температуру перехода до 150 °C и имеет низкое прямое падение напряжения 0,95 В при номинальном токе.
При подборе аналога необходимо учитывать не только номиналы тока и напряжения, но и динамические характеристики. Отклонение по времени восстановления может привести к увеличению коммутационных потерь. Также критичны размер корпуса и тепловое сопротивление — замена на диод в другом корпусе потребует пересмотра топологии платы.
- Проверьте максимальное обратное напряжение и средний ток: аналог должен иметь запас не менее 20% по напряжению и току относительно рабочих условий.
- Сравните время обратного восстановления (trr): для высокочастотных схем используйте диоды с trr не хуже 35 нс.
- Убедитесь в идентичности корпуса и его тепловых параметров (RthJA) — различия могут вызвать перегрев.
- Обратите внимание на прямое падение напряжения: более высокий Vf увеличит потери и снизит КПД.
Похожие товары
GBJ2501-BP (RECT BRIDGE GPP 25A 100V GBJ)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
B2100-13-F (DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB)
Категория:
Дискретные полупроводники
133.32
₽
Заказать
JAN1N6631 (DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
GBU15005TB (BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBU)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать