+7(916) 225-43-02

ESH2DHE3/52T (DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA)

ESH2DHE3/52T (DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA)
Дискретные полупроводники Диоды — выпрямители — одиночные
Доставка ESH2DHE3/52T по России Диоды — выпрямители — одиночные ESH2DHE3/52T Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии ESH2DHE3/52T с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA).

ESH2DHE3/52T характеристики

ПроизводительVishay Semiconductor Diodes Division
Серия-
Part StatusDiscontinued at Digi-Key
УпаковкаTape & Reel (TR)
Вид монтажаSurface Mount
КорпусDO-214AA
SMBИсполнение корпуса
DO-214AA (SMB)Base Part Number
ESH2DТип диода
StandardCреднее значение выпрямленного тока (Io)
2AПрямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
930mV @ 2AТок утечки при Обратном напряжении (Vr)
2µA @ 200VМаксимальное обратное напряжение (Vr)
200VСкорость
Fast Recovery = 200mA (Io)Время восстановления запорного слоя (trr)
35nsРабочая температура pn-прехода
-55°C ~ 175°CЕмкость @ Vr
F-

Рекомендации по подбору

При выборе аналогов диода ESH2DHE3/52T важно учитывать его ключевые характеристики, такие как максимальное обратное напряжение и прямое напряжение. Убедитесь, что новый компонент соответствует требованиям вашего проекта и может работать в заданных условиях. Также стоит обратить внимание на тип корпуса и способ монтажа, чтобы обеспечить совместимость с существующими платами.

Перед заменой диода рекомендуется провести тестирование на совместимость, чтобы избежать возможных проблем в работе устройства. Замена может повлечь за собой риски, такие как увеличение времени восстановления или изменение температуры. Убедитесь, что новый диод имеет аналогичные или лучшие параметры.

  • Максимальное обратное напряжение (Vr) - 200V
  • Прямое напряжение (Vf) - 930mV при 2A
  • Ток утечки - 2µA при 200V
  • Температурный диапазон - от -55°C до 175°C

Похожие товары