EGF1AHE3_A/H (DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA)
Доставка EGF1AHE3_A/H по России Диоды — выпрямители — одиночные EGF1AHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division в нашем каталоге. В наличии EGF1AHE3_A/H с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA).
EGF1AHE3_A/H характеристики
| Производитель | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|
| Серия | Automotive |
| AEC-Q101 | Superectifier® |
| Part Status | Active |
| Вид монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DO-214BA |
| Исполнение корпуса | DO-214BA (GF1) |
| Тип диода | Standard |
| Cреднее значение выпрямленного тока (Io) | 1A |
| Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If | 1V @ 1A |
| Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) | 5µA @ 50V |
| Максимальное обратное напряжение (Vr) | 50V |
| Скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Время восстановления запорного слоя (trr) | 50ns |
| Рабочая температура pn-прехода | -65°C ~ 175°C |
| Емкость @ Vr | F |
| 15pF @ 4V | 1MHz |
Как подобрать аналог и проверить совместимость
Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.
Что важно проверить:
- Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
- Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
- Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
- Условия применения (частота, нагрев, режим работы).
Нужен аналог для EGF1AHE3_A/H? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.
Похожие товары
ESH2C-M3/52T (DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
IDC08S60CEX1SA3 (DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER)
Категория:
Дискретные полупроводники
Заказать
DBF10G (DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SIP)
Категория:
Дискретные полупроводники
63.60
₽
Заказать
GBJ2004-F (RECT BRIDGE GPP 400V 20A GBJ)
Категория:
Дискретные полупроводники
440.40
₽
Заказать