EDF8164A3MC-GD-F-D (IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA)
EDF8164A3MC-GD-F-D характеристики
| Производитель | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Серия | - |
| Part Status | Obsolete |
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Рабочая температура | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Напряжение питания | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Тип памяти | Volatile |
| Объем памяти | 8Gb (128M x 64) |
| Clock Frequency | 800MHz |
| Memory Format | DRAM |
| Write Cycle Time - Word | Page |
| - | Memory Interface |
Рекомендации по подбору
Микросхема EDF8164A3MC-GD-F-D (Micron) представляет собой мобильную оперативную память LPDDR3 объёмом 8 Гбит с параллельным интерфейсом и тактовой частотой 800 МГц. Компонент относится к категории DRAM, упаковка FBGA, рабочий диапазон температур от –30 до 85 °C. Статус производителя — устаревший (Obsolete), что необходимо учитывать при проектировании новых устройств.
При подборе замены для EDF8164A3MC-GD-F-D в первую очередь следует ориентироваться на аналоги с такими же параметрами: объём 8 Гбит, организация 128M x 64, напряжение 1.14–1.95 В и поддержка LPDDR3. Совместимость по корпусу FBGA и распиновке обязательна. Основные риски при замене — несоответствие таймингов, различие в напряжении питания и потеря поддержки со стороны производителя.
- Критерии выбора аналога: точное совпадение объёма, организации, напряжения и скорости; предпочтительно использовать микросхемы с активным статусом производства.
- Проверка совместимости: сверка механических параметров (корпус, расположение выводов) и электрических характеристик (входные/выходные уровни, длительность цикла).
- Риски при замене: снижение производительности из-за отличий в таймингах, нестабильность при изменении напряжения, возможная неработоспособность на платах, рассчитанных под конкретный референсный дизайн.
Похожие товары
MC9S08AW48CFUE (IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64QFP)
LM809M3X-2.93 (IC CIRC RESET MICROPWR SOT23-3)
XCV1000E-6FG900C (IC FPGA 660 I/O 900FGBA)