+7(916) 225-43-02

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D (IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ)

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D (IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ)
Интегральные микросхемы Модули памяти
Доставка EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D по России Модули памяти EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. в нашем каталоге. В наличии EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D с доставкой по всей России через транспортные компании. Срок от 7 дней. (IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ).

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D характеристики

ПроизводительMicron Technology Inc.
Серия-
Part StatusActive
ТехнологияSDRAM - Mobile LPDDR2
Рабочая температура-40°C ~ 105°C (TC)
Напряжение питания1.14 V ~ 1.95 V
Тип памятиVolatile
Объем памяти4Gb (128M x 32)
Clock Frequency533MHz
Memory FormatDRAM
Write Cycle Time - WordPage
-Memory Interface

Как подобрать аналог и проверить совместимость

Перед заказом сравните параметры этой позиции с требованиями вашей схемы и посадочного места.

Что важно проверить:

  • Номинал, допуск и рабочий диапазон температур.
  • Ток/напряжение с запасом под реальную нагрузку.
  • Тип корпуса и габариты для корректного монтажа.
  • Условия применения (частота, нагрев, режим работы).

Нужен аналог для EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D? Отправьте артикул и требования через форму ниже — подберем совместимую замену.

Похожие товары