DK11XEA470K86RBH01 (CAP CER 47PF 300V SL NONSTND SMD)
DK11XEA470K86RBH01 характеристики
| Производитель | Murata Electronics North America |
|---|---|
| Серия | DK1 |
| Part Status | Active |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Емкость | 47pF |
| Допуск | ±10% |
| Нормальное напряжение | 300V |
| Температурный коэффициент | SL |
| Номинальные данные (классы) | X1 |
| Y1 | Вид монтажа |
| Surface Mount | MLCC |
| Корпус | Nonstandard SMD |
| Размеры | 0.315 L x 0.236" W (8.00mm x 6.00mm) |
| Высота (Максимум) | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Особенности | - |
| Применение | Safety |
| Расстояние между выводами | - |
| Максимальная толщина | 0.098" (2.50mm) |
| Исполнение выводов | Gull Wing |
| Уровень отказов | -" |
Рекомендации по подбору
При подборе аналога для конденсатора DK11XEA470K86RBH01 в первую очередь необходимо соблюсти класс безопасности (X1/Y1) и номинальное напряжение 300 В пост. тока. Данный компонент применяется в цепях подавления помех и межобмоточной изоляции, поэтому замена на конденсатор без соответствующей сертификации по безопасности недопустима. Емкость 47 пФ и допуск ±10% должны совпадать, а температурный коэффициент SL предполагает низкую зависимость ёмкости от температуры, что важно для стабильности фильтра.
Перед установкой аналога проверьте габаритные размеры (8×6 мм) и тип выводов — Gull Wing для поверхностного монтажа. Рабочий диапазон температур (-40…+125 °C) должен перекрывать условия эксплуатации. Основные риски при замене: превышение рабочего напряжения, несоответствие классу X1/Y1 и неучтённые паразитные параметры (ESR, ESL), которые могут ухудшить фильтрацию высокочастотных помех.
- Сравнивайте класс безопасности (X1/Y1) и испытательное напряжение — замена на конденсатор общего назначения недопустима.
- Убедитесь в идентичности посадочного места: корпус Nonstandard SMD 8×6 мм и шаг выводов.
- Контролируйте температурный коэффициент (SL) — аналоги с другим ТКЕ изменят ёмкость в рабочем диапазоне.
- Проверяйте допуск по ёмкости и максимальное рабочее напряжение (300 В DC) в статике и импульсном режиме.